MEGA EPOS

BMBF-Verbundprojekt MEGA EPOS

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Pressemitteilung des Projektkoordinators AMO GmbH vom 01. März 2007: Neues BMBF-Projekt zur Erforschung von Metall-Gate-Elektroden und epitaktischen Oxiden als Gate-Stacks für zukünftige CMOS Logik- und Speichergenerationen (MEGA EPOS) erhält BMBF-Förderung.

Im März dieses Jahres startete ein dreijähriges Forschungsprojekt zur Erforschung von epitaktischen Oxiden und Metall-Gate-Elektroden für zukünftige CMOS-Logik und Speichergenerationen (MEGA EPOS), das durch das BMBF (Bundesministerium für Bildung und Forschung) gefördert wird. Dieses Forschungsprojekt bezieht sich auf das BMBF Förderprogramm IKT2020 – „Elektronik und Mikrosysteme“ (weitere Informationen sind unter ikt2020.de zu finden). Das Konsortium wird durch die Gesellschaft für Angewandte Mikro- und Optoelektronik (AMO) koordiniert und besteht aus sieben Partnern, die von der Grundlagenforschung bis zur Anwendung agieren:

Projektbegleitend werden die erzielten Ergebnisse zudem von drei Unternehmen (AMD, Qimonda und Heraeus) bewertet, um die industrielle Verwertbarkeit sicher zu stellen.

Die ITRS-Roadmap (International Technology Roadmap for Semiconductors) beschreibt in ihrer neuesten Fassung den Übergang von der traditionellen „Lithografie-limitierten“-Skalierung zu einer „Material-limitierten“-Skalierung. Obwohl Hafnium-basierte alternative Gate-Dielektrika bereits in naher Zukunft Eingang in die Produktion finden sollen, existiert weltweit gegenwärtig noch keine Lösung für die langfristigen Ziele der ITRS.

In beiden Anwendungsfeldern der Mikroelektronik – Logik und Speicher – bilden Gate-Stacks aus Selten-Erden-Oxiden in Kombination mit geeigneten Metall-Elektroden einen viel versprechenden Lösungsansatz für die zukünftige Skalierung.

Das Ziel des MEGA EPOS Projektes ist daher die Erforschung CMOS-kompatibler alternativer Gate-Stacks sowie der Nachweis ihrer Eignung in modernen CMOS Bauelementen für die 32 nm Generation und darüber hinaus. Dabei sollen Aspekte der Materialkompatibilität, der CMOS-Prozesskompatibilität und der Bauelementeigenschaften epitaktischer Gate-Stacks untersucht werden. Somit leistet das Projekt einen weiteren wichtigen Beitrag zur Zukunftssicherung der CMOS-Technologie.

Nicht zuletzt haben die Ergebnisse des von der AMO koordinierten erfolgreichen BMBF-Projektes KrisMOS zu epitaktischen High-k Gate-Dielektrika zu einer aktiven Teilnahme der Industriepartner AMD Fab 36 LLC & Co KG und Qimonda Dresden GmbH & Co. OHG / NaMLab gGmbH geführt. Die enge Zusammenarbeit zwischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und industriellen Verbundpartnern trägt zu einer effektiven Innovationswertschöpfungskette bei.

Pünktlich zum Eintritt des Partners NaMLab gGmbH zum 01. Juli findet das Kick-Off Meeting des Projektes bereits am 29. Juni in Aachen statt. Weitere Informationen zu den einzelnen Projektpartnern und den Zielen des Projektes finden Sie unter der neuen Webpräsenz megaepos.de.