ARC

Forschungskooperation mit dem Applied Research Center

Juni 2010 – Seit Dezember 2009 besteht eine Forschungskooperation zwischen dem Applied Research Center (ARC) in Newport News (Virginia, USA), das der Old Dominion University in Norfolk, VA, angegliedert ist und dem Institut für Halbleitertechnik der TU Darmstadt.

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Old Dominion Universtity-Logo

Ziel der Kooperation ist die gemeinsame Herstellung und Charakterisierung von MOS-Transistoren mit High-k Gate-Dielektrikum und Metall-Gate-Elektroden.

Organisation Forschungskooperation ARC

Das High-k Material Hafniumoxid (HfO2) und Zirkoniumoxid (ZrO2) wird dabei beim ARC in einem Atomic Layer Deposition-Verfahren (ALD) monolagenweise abgeschieden und mit dem Gate-Metall versehen. Die weitere Prozessintegration findet in der CMOS-Prozesslinie des Instituts für Halbleitertechnik statt. Ein Gegenstand der Untersuchung ist der Vergleich von Gate-First- und Gate-Last-Herstellungsprozessen, was durch die Verwendung der hochtemperaturstabilen High-k Gatedielektrika HfO2 und ZrO2 möglich wird. Die elektrische Charakterisierung und weitere Untersuchungen finden nach Fertigstellung der Bauelemente in beiden Instituten, die sich in ihrer Ausstattung und Know-How ergänzen, statt.

Mitarbeiter ARC
(v.l.n.r: Prof. Dr. Helmut Baumgart, Dr. Diefeng Gu und Kanda Tapiliy, es fehlt Pragya Shrestha)
 

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