Willkommen

Willkommen auf den Seiten des IHTN

Vorschaubild

Das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik befindet sich in der Schloßgartenstraße 8 in direkter Nähe zum Prinz-Georgs-Garten und dem Herrngarten in der Mitte Darmstadts.

Einen Überblick über die Geschichte und die Forschungstätigkeiten des Instituts gibt die Informations-Broschüre „Das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik“.

 

Nanoelektronik-Kolloquium mit Andreas Kerber

Profilbild Kerber

Termin: Freitag, 22.08.2014, 14:00 c.t.
Ort: S2|17 103

Referent: Dr.-Ing. Andreas Kerber

Vortragstitel:
Characterization of BTI induced variability in scaled metal gate / high-k CMOS technologies

Abstract – Time-zero and time dependent variability is a growing concern for aggressively scaled transistor technologies with metal gate/high-k stacks. Bias temperature instability (BTI) in PMOS as well as NMOS devices is considered the most dominant time dependent variability component and needs to be modeled using stochastic processes. The physical nature of the stochastic process is still under debate and to support the model development efforts large statistical data sets are essential. In this presentation, we will focus on the characterization challenges related to stochastic BTI process in small area CMOS devices and discuss the large scale data we collected on discrete SRAM and logic devices. Finally we will elaborate on the impact of BTI induced variability on End-of-Life threshold voltage distributions and show that BTI induced variability is not the major contributing factor in the post stress threshold voltage variability in planar metal gate/high-k CMOS devices.

 

Special Selection im Microelectronics Journal

Best Paper Special Issue of DTIS'10 and '11
– Und das IHTN der TU Darmstadt ist dabei!

F. Wessely, T. Krauss, U. Schwalke
Reconfigurable CMOS with undoped silicon nanowire midgap Schottky-barrier FETs
Link zum Eintrag in der ULB

Herzlichen Glückwunsch an die Autoren.

Weiterlesen…

 

Prof. Dr. Udo Schwalke zum IEEE Senior Member ernannt

Prof. Dr. Udo Schwalke wurde im Juni 2013 zum Senior Member der IEEE Electron Devices Society ernannt.

Weiterlesen…

 
 

Informationen für Studierende

Direkt-Links

News-Feed

Bitte abonnieren Sie unseren News-Feed um automatisch über alle für Studenten relevanten Themen informiert zu werden.

Zur Zeit keine News.

 
 
Foto des IHTN-Gebäudes (Blick aus dem Herrngarten)
Blick aus dem Herrngarten auf das Gebäude des IHTN