Ausstattung

Ausstattung des IHTN

Das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik beschäftigt sich vorrangig mit der auf Silizium basierenden CMOS-Technologie, die auch das Potenzial besitzt eine bedeutende Rolle in der Nanoelektronik einzunehmen. Dieser Entwicklung trägt das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik durch den gezielten Ausbau der vorhandenen Prozesslinie hinsichtlich Technologien der Nanoelektronik Rechnung, so dass innovative Prozesskonzepte unter Einbeziehung neuartiger Materialen für die Realisierung nanoelektronischer Bauelemente und Schaltungen möglich werden.

Das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik verfügt als einzige hessische Hochschuleinrichtung über eine durchgängige CMOS-Prozesslinie, die entsprechende Infrastruktur und erfahrene Prozessingenieure, so dass die innovativen Ideen der wissenschaftlichen Mitarbeiter und Mitarbeiterinnen erfolgreich umgesetzt werden können.

Für die folgenden Arbeitsschritte sind am IHTN Anlagen vorhanden:

  1. Waferreinigung
  2. Strukturübertragung
    • Maskentechnik
    • Photolithographie
    • Elektronenstrahl-Lithographie
    • Ätztechnik
    • Planarisierung
  3. Schichttechnik
    • Epitaxie und CVD
    • Thermische Oxidation
  4. Dotierverfahren
    • Diffusion
    • Ionenimplantation
  5. Temperprozesse
  6. Metallisierung
  7. Verbindungstechnik
  8. Prozesskontrolle
    • Elektrische Messtechnik
    • AFM
    • REM

Außerdem stehen zur Verfügung:

  • Computer
    • heterogene Arbeitsumgebung auf Unix- und Windows-Systemen
  • CAD-Entwurfssysteme
    • Design Framework II
    • ELPHY-Plus
  • Simulationssysteme
    • ANSYS (FEM-Simulator für Felder und Mechanik)
    • ISE-CAD (FEM-Simulatoren für Halbleiterbauelemente)
    • PSPICE (Netzwerksimulator)