Durch Klicken auf die Stockwerke gelangen Sie zu weiteren Informationen zu den Räumen des IHTs

Räume und Labore

Das Institut für Halbleitertechnik verfügt neben den Büros für wissenschaftliche und administrativ-technische Mitarbeiter über Speziallabore und ca. 350m² Reinraumfläche.

Erst die ruhige Lage am Prinz-Georgs-Garten, fern ab von starken Schwingungsquellen wie Schwerverkehr und Straßenbahnen, ermöglicht ein Arbeiten im Nanometerbereich, beispielsweise bei der Elektronenstrahllithographie und der Rastersondenmikroskopie. Bereits beim Bau des Gebäudes in den 30er Jahren des letzten Jahrhunderts wurde auf größtmögliche Störungsfreiheit geachtet. Die auf der Straßenseite zur Schlossgartenstrasse liegenden Fenster wurden vorrausschauend als Doppelfenster ausgeführt. Alle lärmintensiven Anlagen, wie Werkstätten, elektrische Maschinen und Aufzüge wurden möglichst weit von den störempfindlichen Messlaboratorien entfernt angeordnet. Zwischen den senkrecht zueinander liegenden Gebäudetrakten wurde zur Verhinderung von Schallübertragung eine mit Kork verfüllte Trennfüge eingepasst. Mit Korkschichten sind auch sämtliche Maschinenfundamente im Maschinenraum und in der Werkstatt vom übringen Gebäude isoliert. Um eine optimale Störungsfreiheit zu gewährleisten, ging man sogar so weit, das Wasserleitungssystem des Instituts vom städtischen Rohrnetz abzukoppeln, um den Wasserdruck zu reduzieren. Ein auf dem Dachboden stehender Behälter speiste einst die Institutsleitungen. Im Sockelgeschoss wurde im Fussboden mehrere Lagen Tabakblätter verwendet. Dies war damals das günstigste Isolationsmaterial und stammte aus der Nähe von Mannheim und der Pfalz. Heute profitiert das Institut für Halbleitertechnik von der damamligen Finanznot - die Räume im Sockelgeschoss sind besonders vibrationsarm und daher sind empfindliche Anlagen wie Elektronenstrahlschreiber und Rastersondenmikroskop dort zu finden.

Durch Klicken mit der Maus auf die Stockwerke des Instituts in der obigen Ansicht gelangen Sie zu weiteren, detaillierteren Informationen zu Funktion und Ausstattung unserer Räume.

>> nach oben

Ausstattung

Das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik beschäftigt sich vorrangig mit der auf Silizium basierenden CMOS-Technologie, die auch das Potenzial besitzt eine bedeutende Rolle in der Nanoelektronik einzunehmen. Dieser Entwicklung trägt das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik durch den gezielten Ausbau der vorhandenen Prozesslinie hinsichtlich Technologien der Nanoelektronik Rechnung, so dass innovative Prozesskonzepte unter Einbeziehung neuartiger Materialen für die Realisierung nanoelektronischer Bauelemente und Schaltungen möglich werden.

Das Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik verfügt als einzige hessische Hochschuleinrichtung über eine durchgängige CMOS-Prozesslinie, die entsprechende Infrastruktur und erfahrene Prozessingenieure, so dass die innovativen Ideen der wissenschaftlichen Mitarbeiter und Mitarbeiterinnen erfolgreich umgesetzt werden können.

Technische Ausstattung:

• CAD-Entwurfssysteme • Design Framework II &bull ELPHY-Plus
• Computer • heterogene Arbeitsumgebung auf Unix- und Windows-Systemen
• Waferreinigung • Nasschemie-Anlagen • Ultraschalltauchbad
• Photolithographie • Pattern-Generator • Photorepeater • Maskenkopierer • Kontakt- und Proximitybelichter
• Ätztechnik • Nasschemie-Anlagen • Plasmaätzanlage • Chemisch-mechanische Poliereinrichtung
• Elektronenstrahl-Lithographie • modifiziertes Rasterelektronenmikroskop
• Dotierverfahren • Diffusionsofen • Ionenimplanter
• Schichttechnik/Depositionsverfahren • Epitaxie und CVD-Reaktor • Oxidationsofen für Nass- und Trockenoxidation • RTO-Anlage• Sputter- und Elektronenstrahlverdampfungsanlage
• Aufbau-/Verbindungstechnik • Wafersäge • Golddrahtbonder
• Prozesskontrolle • Lichtmikroskope • Interferenz-Mikroskop • Mikroskopkameras • Raster-Elektronenstrahl-Mikroskop • Raster-Kraft-Mikroskop • Ellipsometer • Kapazitäts-Spannungs-Messplatz • Oberflächenprofilometer
• Elektrische Messtechnik • Spitzenmessplätze zur Charakterisierung elektronischer Bauelemente • Lebensdaueruntersuchungen unter Temperatur- (ab 4 K) und Spannungsstress
• Simulationssysteme • ANSYS (FEM-Simulator für Felder und Mechanik) • ISE-CAD (FEM-Simulatoren für Halbleiterbauelemente) • PSPICE (Netzwerksimulator)

Einweihungsurkunde des fermeldetechnischen Instituts aus dem Jahre 1934

Dank großzügiger Unterstützung vonseiten der Industrie war ein kubisches Flachdachgebäude entstanden, das exakt auf die Bedürfnisse der Fernmeldetechniker abgestimmt war. Weder Straßenlärm noch Radiowellen oder Wassergeräusche sollten die akustischen Messungen stören. Aus diesem Grund wurde das Institut in den barocken Prinz-Georgs-Garten hinein gebaut, der dem hessischen Staat gehörte und damals der Öffentlichkeit nicht zugänglich war.

Im Jahre 1978 begannen dann die Um- und Aufbauarbeiten für den Einzug des Insituts für Halbleitertechnik. Die Reinräume und Labore sowie die zugehörige Infrastruktur wurden eingerichtet.

Anlieferung von Anlagen im Jahre 1978

Im Jahre 1979 erfolgte dann die feierliche Einweihung des Instituts für Halbleitertechnik, so dass im Jahre 2009 die 30 Jahr-Feier stattfinden kann

Gründungsfeier des Instituts für Halbleitertechnik im Jahre 1979